High voltage InAlN/GaN HEMTs with nonalloyed Source/Drain for RF power applications
High voltage InAlN/GaN HEMTs with nonalloyed Source/Drain for RF power applications
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适用于射频功率应用的具有非合金源极/漏极的高压 InAlN/GaN HEMT
DOI：
10.1016/j.sse.2013.09.006
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发表时间：
2014
影响因子：
1.7
通讯作者：
Chen Kevin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhou Qi;Yang Shu;Chen Wanjun;Zhang Bo;Feng Zhihong;Cai Shujun;Chen Kevin J.
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DOI：
10.1002/pssc.200880754
发表时间：
2009-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
J. Kuzmík;G. Pozzovivo;J. Carlin;M. Gonschorek;E. Feltin;N. Grandjean;G. Strasser;D. Pogany;E. Gornik
通讯作者：
J. Kuzmík;G. Pozzovivo;J. Carlin;M. Gonschorek;E. Feltin;N. Grandjean;G. Strasser;D. Pogany;E. Gornik
影响因子：
4
作者：
Dasgupta, Sansaptak;Nidhi;Mishra, Umesh K.
通讯作者：
Mishra, Umesh K.
影响因子：
4.9
作者：
Bahat-Treidel, Eldad;Lossy, Richard;Traenkle, Guenther
通讯作者：
Traenkle, Guenther
影响因子：
4.9
作者：
Lee, Dong Seup;Chung, Jinwook W.;Palacios, Tomas
通讯作者：
Palacios, Tomas
影响因子：
4.9
作者：
Kuzmík, J
通讯作者：
Kuzmík, J