Investigation of electrically active defects in undoped BaSi2 light absorber layers using deep-level transient spectroscopy
Investigation of electrically active defects in undoped BaSi2 light absorber layers using deep-level transient spectroscopy
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使用深能级瞬态光谱研究未掺杂 BaSi2 光吸收层中的电活性缺陷
DOI：
10.7567/jjap.57.075801
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Suemasu Takashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yamashita Yudai;Sato Takuma;Bayu Miftahullatif Emha;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
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离子束合成 β-FeSi2 发光器件的电学、电子学和光学表征
DOI：
10.1016/s0168-583x(00)00663-7
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Lourenço;T. Butler;A. Kewell;R. Gwilliam;K. Kirkby;K. Homewood
通讯作者：
K. Homewood
MBE 和 MOCVD 生长的 GaAs0.75P0.25/Si 双结太阳能电池
影响因子：
3
作者：
T. Grassman;D. Chmielewski;S. Carnevale;J. Carlin;S. Ringel
通讯作者：
S. Ringel
DOI：
10.1002/pssa.201200061
发表时间：
2012-10-01
影响因子：
2
作者：
Simoen, Eddy;Visalli, Domenica;Stesmans, Andre
通讯作者：
Stesmans, Andre
BaSi2域边界最稳定结构和界面性质的考虑
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
馬場 正和;香山 正徳;都甲 薫;末益 崇
通讯作者：
末益 崇
n型a-Si:H中能隙态电子捕获截面的能量依赖性
DOI：
10.1103/physrevb.25.4313
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Okushi;Y. Tokumaru;S. Yamasaki;H. Oheda;Kazunobu Tanaka
通讯作者：
Kazunobu Tanaka