Fabrication of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical (CL-PEC) Etching
Fabrication of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical (CL-PEC) Etching
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通过低损伤非接触式光电化学 (CL-PEC) 蚀刻制造凹栅 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Taketomo Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masachika Toguchi;Kazuki Miwa;Fumimasa Horikiri;Noboru Fukuhara;Yoshinobu Narita;Osamu Ichikawa;Ryota Isono;Takeshi Tanaka;and Taketomo Sato
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