Characteristics of Reconfigurable BDD Logic Circuits using GaAs Nanowire Network
Characteristics of Reconfigurable BDD Logic Circuits using GaAs Nanowire Network
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使用GaAs纳米线网络的可重构BDD逻辑电路的特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Shiratori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y;Shiratori;Yuta Shiratori;Y.Shiratori
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基于 BDD 的可重构量子电路
DOI：
10.1109/nanoarch.2008.4585793
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE International Symposium on Nanoscale Architectures
影响因子：
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作者：
S. Eachempati;V. Saripalli;N. Vijaykrishnan;S. Datta
通讯作者：
S. Datta
采用新型六角 BDD 量子电路方法制造基于 GaAs 的集成 2 位半加法器和全加法器
DOI：
10.1109/isdrs.2001.984596
发表时间：
2001
期刊：
2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497)
影响因子：
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作者：
Kasai Seiya;M. Yumoto;Hideki Hasegawa;S. Kasai
通讯作者：
S. Kasai
影响因子：
2.3
作者：
Y. Shiratori;Kensuke Miura;R. Jia;N. Wu;S. Kasai
通讯作者：
Y. Shiratori;Kensuke Miura;R. Jia;N. Wu;S. Kasai
具有低电子捕获率的沉积氮化硅
影响因子：
3.2
作者：
Y. Park;W. Jackson;D. L. Smith;N. Johnson
通讯作者：
N. Johnson
六边形拓扑 GaAs 规则纳米线网络上基于二元决策图的两位算术逻辑单元
影响因子：
3.5
作者：
Hong;S. Kasai;Y. Shiratori;T. Hashizume
通讯作者：
T. Hashizume