Unclamped inductive stressing of GaN and SiC Cascode power devices to failure at elevated temperatures
Unclamped inductive stressing of GaN and SiC Cascode power devices to failure at elevated temperatures
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GaN 和 SiC 共源共栅功率器件的未钳位感应应力导致高温下失效
DOI：
10.1016/j.microrel.2022.114711
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发表时间：
2022
影响因子：
1.6
通讯作者：
Gunaydin Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gunaydin Y
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