Thermally Stable Multi-Phase Nickel-Platinum Stanogermanide Contacts for Germanium-Tin Channel MOSFETs
Thermally Stable Multi-Phase Nickel-Platinum Stanogermanide Contacts for Germanium-Tin Channel MOSFETs
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用于锗锡通道 MOSFET 的热稳定多相镍铂锗化物触点
DOI：
10.1149/2.014206esl
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yeo, Yee-Chia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xue, Chunlai;Wang, Qiming;Cheng, Buwen;Yeo, Yee-Chia
我们展示了一种新的金属锡锗化物接触金属化工艺的高迁移率锗锡（GeSn）沟道MOSFET。采用固体源分子束外延（MBE）技术在Ge（100）衬底上外延生长Ge0.947Sn0.053合金，再与Ni-Pt合金反应，制备了多相镍铂锡锗化物[Ni（GeSn）+Ptx（GeSn）y]接触。与锡锗酸镍[Ni（GeSn）]接触相比，Pt掺入的接触，即[Ni（GeSn）+Ptx（GeSn）y]，在宽的形成温度范围内表现出增强的热稳定性，并且即使在热处理后也具有上级表面形貌。所提出的接触是有吸引力的高迁移率GeSn MOSFET的集成。
We demonstrate a novel metal stanogermanide contact metallization process for high mobility germanium-tin (GeSn) channel MOSFETs. The multi-phase nickel-platinum stanogermanide [Ni(GeSn)+Ptx(GeSn)y] contacts are formed by reacting Ni-Pt alloy with Ge0.947Sn0.053 alloy, which is epitaxially grown on Ge (100) substrate by solid source molecular beam epitaxy (MBE). Compared with nickel stanogermanide [Ni(GeSn)] contacts, the Pt-incorporated contacts, i.e. [Ni(GeSn)+Ptx(GeSn)y], exhibit enhanced thermal stability in a wide range of formation temperatures and have superior surface morphology even after thermal processing. The proposed contacts are attractive for the integration in high mobility GeSn MOSFETs.
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影响因子：
4
作者：
G. Wang;E. Rosseel;R. Loo;P. Favia;H. Bender;M. Caymax;M. Heyns;W. Vandervorst
通讯作者：
G. Wang;E. Rosseel;R. Loo;P. Favia;H. Bender;M. Caymax;M. Heyns;W. Vandervorst
影响因子：
1.7
作者：
Tsuyoshi Nishimura;O. Nakatsuka;Y. Shimura;S. Takeuchi;B. Vincent;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax-M.
通讯作者：
Tsuyoshi Nishimura;O. Nakatsuka;Y. Shimura;S. Takeuchi;B. Vincent;A. Vantomme;J. Dekoster;M. Caymax-M.
影响因子：
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作者：
Y. Hsieh;Lun-Lun Chen-Lun
通讯作者：
Y. Hsieh;Lun-Lun Chen-Lun
影响因子：
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作者：
L. Gomez;C. Ni Chleirigh;P. Hashemi;J. Hoyt
通讯作者：
L. Gomez;C. Ni Chleirigh;P. Hashemi;J. Hoyt
影响因子：
2.1
作者：
S. L. Liew;Rinus Lee;K. Lee;B. Balakrisnan;S. Chow;M. Lai;D. Chi
通讯作者：
S. L. Liew;Rinus Lee;K. Lee;B. Balakrisnan;S. Chow;M. Lai;D. Chi