Sb Surfactant Effect on Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy
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Sb表面活性剂对分子束外延生长高应变GaInAs/GaAs量子阱的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F.Koyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Ohta;T.Kageyama;T.Matsuura;Y.Matsui;T.Furuhata;T.Miyamoto;F.Koyama
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通过金属有机化学气相沉积生长的 1.24-/spl mu/m GaInNAs 激光器的室温连续波操作
影响因子：
4.9
作者：
S. Sato;S. Satoh
通讯作者：
S. Satoh
使用Sb表面活性剂通过分子束外延生长低阈值InGaAsN/GaAs单量子阱激光器
影响因子：
1.1
作者：
Xiaodong Yang;M. Jurkovic;J. Héroux;Wen Wang
通讯作者：
Wen Wang
1.2 [微标志]米范围GaInAs SQW激光器，使用Sb作为表面活性剂
影响因子：
1.1
作者：
H. Shimizu;K. Kumada;S. Uchiyama;A. Kasukawa
通讯作者：
A. Kasukawa
高性能 CW 1.26 µm GaInNAsSb-SQW 和 1.20 µm GaInAsSb-SQW 脊形激光器
影响因子：
1.1
作者：
H. Shimizu;K. Kumada;S. Uchiyama;A. Kasukawa
通讯作者：
A. Kasukawa