Nonvolatile Memory Effect in Organic Thin-Film Transistor Based on Aluminum Nanoparticle Floating Gate
Nonvolatile Memory Effect in Organic Thin-Film Transistor Based on Aluminum Nanoparticle Floating Gate
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基于铝纳米粒子浮栅的有机薄膜晶体管的非易失性记忆效应
DOI：
10.1088/0256-307x/27/1/018503
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发表时间：
2010
影响因子：
3.5
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中科院分区：
文献类型：
--
作者：
通过引入划船栅极结构，在有机薄膜晶体管中观察到非易失性记忆效应。划船栅由一层纳米厚度的Al薄膜组成，该薄膜被热沉积在SiO2绝缘体上，并暴露在空气中自然氧化。可以看出，在黑暗和光照条件下，晶体管的电流-电压特性表现出明显的滞后行为和存储圈，表明晶体管可以作为非易失性存储元件。讨论了铝浮栅在黑暗和光照条件下的电荷俘获作用机理。
A nonvolatile memory effect was observed in an organic thin-film transistor by introducing a Boating gate structure. The Boating gate was composed of an Al film in a thickness of nanometers, which was thermally deposited on a SiO2 insulator and exposed to air to spontaneously oxidize. It can be seen that the transistors exhibit significant hysteresis behaviors and storage circles in current-voltage characteristics in the dark and under illumination, indicating that the transistors may act as a nonvolatile memory element. The operational mechanism is discussed in the cases of dark and illumination via charge trapping by the Al floating gate.
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