A novel movable electrode for realizing deep sub-micrometer gap in SOI-based MEMS square resonator
A novel movable electrode for realizing deep sub-micrometer gap in SOI-based MEMS square resonator
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一种新型可移动电极，可在基于 SOI 的 MEMS 方形谐振器中实现深亚微米间隙
DOI：
10.1007/s00542-012-1683-x
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发表时间：
2013-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Deng, C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, J. W.;Bao, J. F.;Du, Y. J.;Deng, C.
一种新颖的可移动电极被证明可以实现深亚微米谐振器到电极的间隙。该设计基于 SOI 的进展，以更好地降低运动阻抗。活动结构包含两个主梁，可以通过直流电压驱动来实现锁定。在锁定过程之后，直流电压可以被释放，因此该锁定过程只需要执行一次，并且可以在封装之前完成。因此降低了谐振器的直流偏置电压，以便更好的应用。为了检查使用这种结构对运动阻抗的改善，本研究中采用了 70 MHz 拉米模式方形谐振器。谐振器到电极的间隙从 1.05 μm 减小到 50 nm，从而产生 280 Ω 动阻抗，比可移动结构驱动之前小 157,000 倍。此外，传统SOI工艺中实现的能力有利于制造工艺以及高成品率的实现。
A novel movable electrode is demonstrated to realize deep sub-micrometer resonator-to-electrode gap. This design is based on SOI progress for better reducing the motional impedance. The movable structure contains two main beams, which can be actuated by DC voltage to realize lock-up. After the lock-up process, the DC voltage could be released, so this lock-up progress only needs to be implemented once and can be accomplished before encapsulation. The DC bias voltage for the resonator is thus reduced for better application. In order to examine the improvement of motional impedance using this structure, a 70 MHz lame-mode square resonator is employed in this study. The resonator-to-electrode gap is reduced from 1.05 μm to 50 nm, thus brings about a 280 Ω motional impedance, which is 157,000× smaller than that before the actuation of the movable structure. In addition, the capability to be realized in conventional SOI progress facilitates the fabrication process as well as the realization of high yield.
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DOI：
10.1088/0960-1317/19/7/074003
发表时间：
2009-07-01
影响因子：
2.3
作者：
Lee, Joshua E-Y;Yan, Jize;Seshia, Ashwin A.
通讯作者：
Seshia, Ashwin A.
DOI：
10.1109/tcpmt.2010.2100711
发表时间：
2011-03
期刊：
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
影响因子：
--
作者：
Kuan-Lin Chen;Shasha Wang;J. Salvia;R. Melamud;R. Howe;T. Kenny
通讯作者：
Kuan-Lin Chen;Shasha Wang;J. Salvia;R. Melamud;R. Howe;T. Kenny
DOI：
10.1109/smic.2004.1398189
发表时间：
2004-09
期刊：
Digest of Papers. 2004 Topical Meeting onSilicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2004.
影响因子：
--
作者：
S. Pourkamali;Farrokh Ayazi
通讯作者：
S. Pourkamali;Farrokh Ayazi
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Gabriel M. Rebeiz
通讯作者：
Gabriel M. Rebeiz
DOI：
10.1109/rfic.2003.1213956
发表时间：
2003-06
期刊：
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 2003
影响因子：
--
作者：
Jing Wang;Z. Ren;C. Nguyen
通讯作者：
Jing Wang;Z. Ren;C. Nguyen