Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence
Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence
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光致发光证明稀铋 GaSb/AlGaSb 单量子阱中的浅阶地界面
DOI：
10.1063/1.4801530
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发表时间：
2013-04
影响因子：
3.2
通讯作者：
Shao, Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, S. M.;Lu, Wei;Guo, Shaoling;Shao, Jun
在360°C和380°C、低温和磁场条件下，对一个GaSb/AlGaSb单量子阱（SQW）样品和两个稀铋（Bi） GaSb/AlGaSb SQW样品进行了光致发光（PL）测量。双峰PL特征是识别的
Photoluminescence (PL) measurements are performed on one GaSb/AlGaSb single-quantum-well (SQW) sample and two dilute-bismuth (Bi) GaSb/AlGaSb SQW samples grown at 360 and 380 °C, at low temperatures and under magnetic fields. Bimodal PL features are ident
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