High-quality epitaxial CoFe/Si(111) heterojunctions fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy
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低温分子束外延制备高质量外延CoFe/Si(111)异质结
作者：
Y.Maeda;Y.Ando;et al.
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使用外延 NiFe(111) 铁磁底部电极的磁隧道结具有高磁阻和小偏置电压依赖性
影响因子：
3.2
作者：
J. Yu;Hyuck;M. Hayashi;M. Oogane;T. Daibou;H. Nakamura;H. Kubota;Y. Ando;T. Miyazaki
通讯作者：
T. Miyazaki
影响因子：
3.2
作者：
G. Gurp
通讯作者：
G. Gurp
通过共沉积技术在 Si(111) 上合成具有 CsCl 和 CaF2 型立方结构的外延三元 Co1−xFexSi2 硅化物
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Hong;C. Pirri;P. Wetzel;G. Gewinner
通讯作者：
G. Gewinner
外延和旋转 Al/Si 界面之间不同的费米能级钉扎位置。
DOI：
10.1103/physrevb.50.4893
发表时间：
1994
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Miura;Fujieda;Hirose
通讯作者：
Hirose
TiN缓冲层在Si衬底上外延Co70Fe30薄膜的生长及物理性能
影响因子：
4
作者：
C. Ji;F. Lu;Y. Chang;J. J. Yang;M. Rzchowski
通讯作者：
M. Rzchowski