Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantum well probed by photoluminescence
Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantum well probed by photoluminescence
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光致发光探测 InGaAs/InAlAs 量子阱中低温下的俄歇复合
DOI：
10.1016/j.jlumin.2015.08.075
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发表时间：
2016
影响因子：
3.6
通讯作者：
Shao, Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Xiren;Zha, Fangxing;Guo, Shaoling;Shao, Jun
本文报道了用稳态温度和激发功率相关的光致发光测量来探测InGaAs/InAlAs量子阱中俄歇复合的反常效应。从俄歇复合到Shockley-Read-Hall复合的转变随着温度的升高而明显，并且在低温下俄歇复合的反常增强是明显的。详细的分析表明，这种增强与强局域化成正相关，既可以是相对的，也可以是Shockley-Read-Hall复合减少的结果，也可以是限制引起的动量不确定性的绝对结果。结果表明，依赖于激发功率的光致发光测量可以有效地评估局域化的副作用，因此是一种方便的评估合金量子阱的方法。
This paper reports abnormal effects of Auger recombination in InGaAs/InAlAs quantum well probed by steady state temperature and excitation-power dependent photoluminescence measurements. The transition from Auger recombination to Shockley–Read–Hall recombination is clearly manifested with rising temperature, and abnormal enhancement of Auger recombination at low temperatures is evidenced. Detailed analysis indicates that such enhancement is positively correlated with strong localization, and can be eitherrelativeand due to reduction of Shockley–Read–Hall recombination, orabsoluteand resulted from the confinement-induced uncertainty of momentum. It suggests that excitation-power dependent photoluminescence measurement is effective to assess the side-effect of the localization, and therefore a convenient evaluation routine of alloy quantum wells.
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4
作者：
N. Massé;E. Homeyer;I. Marko;A. Adams;S. Sweeney;O. Dehaese;R. Piron;F. Grillot;S. Loualiche
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N. Massé;E. Homeyer;I. Marko;A. Adams;S. Sweeney;O. Dehaese;R. Piron;F. Grillot;S. Loualiche
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作者：
A. Manoogian;J. Woolley
通讯作者：
A. Manoogian;J. Woolley
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通讯作者：
I. Seetoh;C. B. Soh;E. Fitzgerald;S. Chua
DOI：
10.1103/physrevb.48.7889
发表时间：
1993-09
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Driessen;Bauhuis;Olsthoorn;Giling
通讯作者：
Driessen;Bauhuis;Olsthoorn;Giling