Ohmic co-doped GaN/InGaN tunneling diode grown by MOCVD
Ohmic co-doped GaN/InGaN tunneling diode grown by MOCVD
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MOCVD 生长欧姆共掺杂 GaN/InGaN 隧道二极管
DOI：
10.1063/5.0103152
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Bedair, S. M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hagar, B. G.;Abdelhamid, M.;Routh, E. L.;Colter, P. C.;Bedair, S. M.
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通讯作者：
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通讯作者：
J. Samberg;C. Carlin;G. Bradshaw;P. Colter;Jeffrey L. Harmon;J. Allen;J. Hauser;S. Bedair
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DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Bedair;Jeffrey L. Harmon;C. Carlin;I. Sayed;P. Colter
通讯作者：
P. Colter