A Si tunnel field-effect transistor model with a high switching current ratio and steep sub-threshold swing
A Si tunnel field-effect transistor model with a high switching current ratio and steep sub-threshold swing
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具有高开关电流比和陡峭亚阈值摆幅的硅隧道场效应晶体管模型
DOI：
10.1088/0268-1242/29/9/095016
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发表时间：
2014-09
影响因子：
1.9
通讯作者：
J. H. He
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Y. Xu;S. E. Liang;X. H. Zhong;J. H. He
为了提高隧道效应晶体管(TFET)的性能，提出了一种新型的双栅隧道效应晶体管(PnIn-P TFET)器件结构，即在源极-沟道结处靠近源侧插入两个凹槽，并分别放置在沟道和漏极之间的附加下重叠区的中间。该器件同时具有源袋TFET(Pnin TFET)和隧道感生注入场效应晶体管(TI-FET)的优点。在室温下获得了陡峭的亚阈值摆幅(∼35 mV dec−1)和良好的开关状态电流比(∼1012)，这表明该器件是一种很有前途的替代传统MOSFET的候选器件。
A novel double-gate tunneling field effect transistor (PNIN-P TFET) device structure, in which two pockets were inserted near the source side at the source-channel junction and placed in the middle of the additional underlap region between the channel and drain, respectively, is proposed to improve the performance of the tunneling field effect transistor (TFET). The device was found to possess the advantages of the source-pocket TFET (PNIN TFET) and the tunnel-induced injection field-effect transistor (TI-FET) simultaneously. A steep subthreshold swing (∼35 mV dec−1) and an excellent switching state current ratio (∼1012) were obtained at room temperature, indicating that this device is a promising candidate as a replacement for the traditional MOSFETs.
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