An Ultra-Low Specific ON-Resistance LDMOST With Self-Driven Split Gate
An Ultra-Low Specific ON-Resistance LDMOST With Self-Driven Split Gate
复制标题
具有自驱动分裂栅极的超低比导通电阻 LDMOST
DOI：
10.1109/ted.2015.2406074
复制
发表时间：
2015-03
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chen Xingbi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Du Wenfang;Lyu Xinjiang;Wai Tung Ng;Chen Xingbi
研究了一种自驱动分裂p-顶栅n-横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOST）。通过集成低压电荷泵电路，在关断状态下自产生恒定的正电压（约10 V
An n-Laterally Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (LDMOST) with self-driven split p-top gate is studied. By integrating a low-voltage charge pump circuit, a constant positive voltage (≈10 V) is self-generated in the OFF-stat
登录
查看更多内容
影响因子：
3.1
作者：
Xinjiang Lyu;Xingbi Chen
通讯作者：
Xinjiang Lyu;Xingbi Chen
DOI：
10.1109/icsict.2001.981433
发表时间：
2001-10
期刊：
2001 6th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Proceedings (Cat. No.01EX443)
影响因子：
--
作者：
Che Xing-bi;Fan Xue-feng
通讯作者：
Che Xing-bi;Fan Xue-feng
DOI：
10.1109/ispsd.1997.601428
发表时间：
1997-05
期刊：
Proceedings of 9th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
T. Letavic;E. Arnold;M. Simpson;R. Aquino;H. Bhimnathwala;R. Egloff;A. Emmerik;S. Wong;
通讯作者：
T. Letavic;E. Arnold;M. Simpson;R. Aquino;H. Bhimnathwala;R. Egloff;A. Emmerik;S. Wong;
影响因子：
1.7
作者：
CHEN, XB;ZHANG, B;LI, ZJ
通讯作者：
LI, ZJ
DOI：
--
发表时间：
2012-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
刘飞;文锋;盛大双;阮旭松
通讯作者：
刘飞;文锋;盛大双;阮旭松