Reduction of epitaxial growth dislocations originate from the surface
Reduction of epitaxial growth dislocations originate from the surface
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减少源自表面的外延生长位错
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Umezawa and M.Touge
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Shikata;Y. Kato;H. Umezawa and M.Touge
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勘误：“在低密度缺陷独立 GaN 衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎无堆垛层错的 m 面 GaN 同质外延薄膜的光学特性”[Appl. 92, 091912 (2008)]
DOI：
10.1063/1.2991440
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Chichibu;H. Yamaguchi;L. Zhao;M. Kubota;K. Okamoto;H. Ohta
通讯作者：
H. Ohta
厚 InxGa1−xN 层中红移发光与表面缺陷的微观相关性
影响因子：
4
作者：
F. Bertram;S. Srinivasan;L. Geng;F. Ponce;T. Riemann;J. Christen
通讯作者：
J. Christen
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Takeuchi, T;Amano, H;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I
影响因子：
3.2
作者：
Romanov, A. E.;Baker, T. J.;Speck, J. S.
通讯作者：
Speck, J. S.
影响因子：
1.5
作者：
K. Okamoto;H. Ohta;S. Chichibu;J. Ichihara;H. Takasu
通讯作者：
K. Okamoto;H. Ohta;S. Chichibu;J. Ichihara;H. Takasu