A broadband, high isolation millimeter-wave CMOS power amplifier using a transformer and transmission line matching topology
A broadband, high isolation millimeter-wave CMOS power amplifier using a transformer and transmission line matching topology
复制标题
一种采用变压器和传输线匹配拓扑的宽带、高隔离度毫米波 CMOS 功率放大器
DOI：
10.1007/s10470-014-0412-z
复制
发表时间：
2014-11
影响因子：
1.4
通讯作者：
Gao Jianjun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Bo;Shen Li;Liu Supeng;Zheng Yuanjin;Gao Jianjun
本文介绍了一种宽带毫米波放大器的设计和特性，该放大器采用130 nm标准RF-CMOS工艺，采用8金属层，晶体管/ fmax17 /161 GHz。功率放大器采用变压器与传输线匹配的拓扑结构，实现了芯片面积小、带宽宽的特点。为了便于优化，提出了一种新的集总变压器模型。测量到的3db带宽为20 GHz（从47到67 GHz），测量到的最大增益约为8.6 dB，输出1db压缩功率为9.36 dBm，从1.2 V直流电源中消耗90 mA电流。包含GSG和DC焊片时，PA的芯片面积为0.318 mm2，不包含焊片时，PA的芯片面积为0.141 mm2。
This paper presents the design and characterization of a broadband millimeter-wave PA realized in a 130 nm standard RF-CMOS process with 8-metal-layer and transistorfT/fMAXof 117/161 GHz. The power amplifier adopts transformer and transmission line matching topology which achieves small area of die and wide bandwidth. A new lumped transformer model is proposed to facilitate the optimization. The measured 3 dB bandwidth is 20 GHz (from 47 to 67 GHz), the measured maximum gain is about 8.6 dB, output 1 dB compression power is 9.36 dBm and consumes 90 mA current from DC supply 1.2 V. Including GSG and DC pads, the PA occupies a compact chip area of 0.318 mm2, and without pads, the PA occupies 0.141 mm2.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/tmtt.2011.2131676
发表时间：
2011-04
影响因子：
4.3
作者：
B. Ku;Sang-Hyun Baek;Songcheol Hong
通讯作者：
B. Ku;Sang-Hyun Baek;Songcheol Hong
DOI：
10.1109/tmtt.2012.2223229
发表时间：
2012-12-01
影响因子：
4.3
作者：
Chen, Jing-Hwa;Helmi, Sultan R.;Mohammadi, Saeed
通讯作者：
Mohammadi, Saeed
影响因子：
5.4
作者：
Gang Liu;H. Schumacher
通讯作者：
Gang Liu;H. Schumacher
影响因子：
1.4
作者：
M. Sayginer;M. Yazgi;H. Kuntman;B. Virdee
通讯作者：
M. Sayginer;M. Yazgi;H. Kuntman;B. Virdee
DOI：
10.1109/isscc.2009.4977468
发表时间：
2009-05
期刊：
2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference - Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
K. Raczkowski;S. Thijs;W. Raedt;B. Nauwelaers;P. Wambacq
通讯作者：
K. Raczkowski;S. Thijs;W. Raedt;B. Nauwelaers;P. Wambacq