GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
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通过温度和磁场依赖性光致发光研究具有类 InSb 和类 GaAs 界面的 GaInSb/InAs/AlSb 量子阱
DOI：
10.1063/1.4948330
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发表时间：
2016-05
影响因子：
3.2
通讯作者：
Shao, Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zha, F. -X.;Niu, Zhichuan;Guo, Shaoling;Shao, Jun
GaInSb/InAs/AlSb quantum wells (QWs) with typical InSb- and GaAs-like interfaces (IFs) are investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence (PL), respectively. The results show that (i) as temperature rises the PL energy of the
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