Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_2
Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_2
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热生长SiO_2中硅和硼的相关扩散
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Uematsu;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;他
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平衡条件下热生长 SiO2 中 Si 的自扩散
影响因子：
3.2
作者：
Tomonori Takahashi;S. Fukatsu;K. Itoh;M. Uematsu;A. Fujiwara;H. Kageshima;Yasuo Takahashi;K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi
硼在 SiO2 中的扩散涉及高浓度效应
影响因子：
1.5
作者：
T. Aoyama;H. Arimoto;K. Horiuchi
通讯作者：
K. Horiuchi
SiO 2 中与硼相关的缺陷的第一性原理计算
影响因子：
3.7
作者：
M. Otani;K. Shiraishi;A. Oshiyama
通讯作者：
A. Oshiyama
SiO_2 中 Si 自扩散的建模 Si/SiO_2 界面的效应（包括随时间变化的扩散率）
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Appl. Phys. Lett. 84-6
影响因子：
--
作者：
M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;K.M.Itoh;K.Shiraishi;U.Gosele
通讯作者：
U.Gosele
使用先进的物理和数值方法模拟关键 IC 制造工艺
影响因子：
3.1
作者：
W. Jungling;P. Pichler;S. Selberherr;E. Guerrero;H. Potzl
通讯作者：
H. Potzl