Sulfur passivation of InN surface electron accumulation
Sulfur passivation of InN surface electron accumulation
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InN表面电子积累的硫钝化
DOI：
10.1063/1.3263725
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发表时间：
2009
影响因子：
4
通讯作者：
Bailey L
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bailey L
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影响因子：
4
作者：
V. Cimalla;V. Lebedev;Ch. Y. Wang;M. Ali;G. Ecke;V. Polyakov;F. Schwierz;O. Ambacher;H. Lu;W. Schaff
通讯作者：
V. Cimalla;V. Lebedev;Ch. Y. Wang;M. Ali;G. Ecke;V. Polyakov;F. Schwierz;O. Ambacher;H. Lu;W. Schaff
影响因子：
4
作者：
Rickert, KA;Ellis, AB;Kuech, TF
通讯作者：
Kuech, TF
InN电子积累的温度不变性
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Piper;T. Veal;I. Mahboob;C. McConville;Hai Lu;W. Schaff
通讯作者：
W. Schaff
通过阳极氧化耗尽 InN 中的表面积累电荷
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Denisenko;C. Pietzka;A. Chuvilin;U. Kaiser;H. Lu;W. Schaff;E. Kohn
通讯作者：
E. Kohn
(NH4)2Sx溶液处理InAs(001)的表面结构
影响因子：
1.5
作者：
M. Katayama;M. Aono;H. Oigawa;Y. Nannichi;H. Sugahara;M. Oshima
通讯作者：
M. Oshima