Formation of electronic defects in crystalline silicon during hydrogen plasma treatment
Formation of electronic defects in crystalline silicon during hydrogen plasma treatment
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氢等离子体处理过程中晶体硅中电子缺陷的形成
DOI：
10.1063/1.5089202
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Matsubara Koji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
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DOI：
--
发表时间：
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DOI：
--
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通讯作者：
J. Weber