In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
In-situ detection of interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction during plasma processing
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等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
DOI：
10.7567/1882-0786/ab128b
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发表时间：
2019
影响因子：
2.3
通讯作者：
Matsubara Koji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
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通过微波检测瞬态光电导测量对 a-Si:H 薄膜进行氢等离子体蚀刻期间的原位工艺评估
影响因子：
3.2
作者：
H. Neitzert;W. Hirsch;M. Kunst
通讯作者：
M. Kunst
影响因子：
56.7
作者：
Yoshikawa, Kunta;Kawasaki, Hayato;Yamamoto, Kenji
通讯作者：
Yamamoto, Kenji
等离子体增强化学气相沉积过程中非晶半导体薄膜中俘获电荷的原位表征
影响因子：
1.6
作者：
S. Nunomura;I. Sakata
通讯作者：
I. Sakata
DOI：
10.1080/13642818708221319
发表时间：
1987
期刊：
Philosophical Magazine B-physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties
影响因子：
--
作者：
R. Street;C. Tsai;J. Kakalios;W. Jackson
通讯作者：
W. Jackson
影响因子：
4
作者：
HIGASHI, GS;CHABAL, YJ;RAGHAVACHARI, K
通讯作者：
RAGHAVACHARI, K