Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
复制标题
Si掺杂对金属有机气相外延在AlN模板上生长的Al0.6Ga0.4N外延层近带边发射动力学的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Uedono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. F. Chichibu;H. Miyake;K. Hazu;Y. Ishikawa;M. Tashiro;T. Ohtomo;K. Furusawa;K. Hiramatsu;A. Uedono
登录
查看更多内容
影响因子：
2.3
作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
通讯作者：
Yuki Shimahara;H. Miyake;K. Hiramatsu;F. Fukuyo;Tomoyuki Okada;Hidetsugu Takaoka;H. Yoshida
硅掺杂对AlxGa1−xN薄膜空位和光学性能的影响
影响因子：
4
作者：
J. Slotte;F. Tuomisto;K. Saarinen;C. Moe;S. Keller;S. Denbaars
通讯作者：
S. Denbaars
DOI：
10.1142/9789812817754_0002
发表时间：
2000
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
P. Coleman
通讯作者：
P. Coleman
GaAs 中与 Si 相关的缺陷引起的红外吸收带：吸收截面
影响因子：
3.2
作者：
R. T. Chen;V. Rana;W. Spitzer
通讯作者：
W. Spitzer
金属有机化学气相沉积法生长重硅掺杂砷化镓
DOI：
--
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Furuhata;K. Kakimoto;Yoshida Masaji;T. Kamejima
通讯作者：
T. Kamejima