Subsurface structures in initial stage of FeSi2 growth studied by high-resolution Rutherford backscattering
Subsurface structures in initial stage of FeSi2 growth studied by high-resolution Rutherford backscattering
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通过高分辨率卢瑟福背向散射研究 FeSi2 生长初始阶段的地下结构
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Suzuki;他
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使用 Si0.7Ge0.3 层在晶格匹配应变 Si(001) 表面上进行高度 [100] 取向 β-FeSi2 薄膜的分子束外延
影响因子：
1.5
作者：
Tatsuma Saito;T. Suemasu;Kenji Yamaguchi;K. Mizushima;F. Hasegawa
通讯作者：
F. Hasegawa
在 Si(001) 衬底上形成 β-FeSi 2 层
影响因子：
1.5
作者：
Masaya Tanaka;Y. Kumagai;T. Suemasu;F. Hasegawa
通讯作者：
F. Hasegawa
不同热处理对Si(100)上硅化铁生长形成的影响
DOI：
10.1016/s0040-6090(98)01514-4
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
Jae;S. K. Lee;K. Han;K. An;Chong
通讯作者：
Chong
Si(001) 上的外延硅化铁：扫描隧道显微镜和光谱学研究
DOI：
10.1016/0167-2584(93)90960-q
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
Werner Raunau;H. Niehus;G. Comşa
通讯作者：
G. Comşa
Si(111)上外延Fe3−xSi1+x (0≤x≤1)硅化物的形成
DOI：
10.1063/1.359721
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Hong;P. Wetzel;G. Gewinner;D. Bolmont;C. Pirri
通讯作者：
C. Pirri