Fabrication and Characterization of Strained Si_1-yC_y n-MOSFETs Grown by Hot Wire Cell Method

Fabrication and Characterization of Strained Si_1-yC_y n-MOSFETs Grown by Hot Wire Cell Method
复制标题

热线电池法生长的应变 Si_1-yC_y n-MOSFET 的制造和表征

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
Thin Solid Films 508
影响因子:
--
通讯作者:
Makoto Konagai
Makoto Konagai
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Hanae Ishihara;Tatsuro Watahiki;Akira Yamada;Makoto Konagai

文献摘要

参考文献

相似文献

低温化学气相沉积法生长的 Si1-yCy 外延膜的 C 稳定性
DOI: 10.1143/jjap.42.1499
发表时间: 2003
影响因子: 1.5
作者:
S. Yagi;K. Abe;A. Yamada;M. Konagai
通讯作者: M. Konagai
热线电池法生长的低温外延 Si 和 Si1−yCy 薄膜的表征
DOI: 10.1016/s0921-5107(01)00772-3
发表时间: 2002
影响因子: 3.6
作者:
T. Watahiki;K. Abe;H. Tamura;S. Miyajima;A. Yamada;M. Konagai
通讯作者: M. Konagai
热线槽法外延生长应变Si1−yCy薄膜及其在金属氧化物半导体器件中的应用
DOI: 10.1016/s0040-6090(03)00082-8
发表时间: 2003
期刊: Thin Solid Films
影响因子: 2.1
作者:
T. Watahiki;K. Abe;A. Yamada;M. Konagai
通讯作者: M. Konagai
拉伸应变 Si 和 Si1−yCy (y ≤ 0.03) 中面内电子输运的蒙特卡罗研究
DOI: 10.1051/epjap:1999200
发表时间: 1999
影响因子: 1
作者:
P. Dollfus;S. Galdin;P. Hesto
通讯作者: P. Hesto