Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate
Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate
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具有氮化硅顶栅的准独立式外延石墨烯晶体管
DOI：
10.1088/0022-3727/47/30/305103
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Th. Seyller
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Wehrfritz;F. Fromm;S. Malzer;Th. Seyller
我们报道了由准独立单层石墨烯（QFMLG）在6H-SiC（0001）上结合氮化硅（SiN）栅极电介质构建的顶门控场效应器件。采用等离子体增强化学气相沉积法制备了SiN。用x射线光电子能谱（XPS）研究了介质的组成。通过XPS、拉曼光谱和霍尔效应测量，对沉积前后的石墨烯层进行了光谱和电学表征。与之前关于SiN/石墨烯的报道相反，我们观察到我们的介电层诱导了强n型掺杂。有了这样的栅极绝缘子，QFMLG的中性电平可以通过适当的栅极电压获得。
We report on top-gated field effect devices built from quasi-freestanding monolayer graphene (QFMLG) on 6H–SiC (0001) in combination with a silicon nitride (SiN) gate dielectric. SiN was grown by plasma enhanced chemical vapour deposition. The composition of the dielectric was investigated by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Spectroscopic and electrical characterization of the graphene layers were done by XPS, Raman spectroscopy and Hall effect measurements before and after SiN deposition. In contrast to previous reports on SiN/graphene, we observe that our dielectric layer induces strong n-type doping. With such a gate insulator, the neutrality level of the QFMLG could be accessed by an appropriate gate voltage.
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影响因子：
56.9
作者：
Ohta, Taisuke;Bostwick, Aaron;Rotenberg, Eli
通讯作者：
Rotenberg, Eli
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.637
发表时间：
2012
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
F. Giannazzo;C. Bongiorno;S. Di Franco;E. Rimini;V. Raineri
通讯作者：
V. Raineri
影响因子：
56.9
作者：
Berger, Claire;Song, Zhimin;de Heer, Wait A.
通讯作者：
de Heer, Wait A.
反应等离子体沉积在硅上的 Si-N 薄膜的电学特性
DOI：
--
发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. K. Sinha;T. Smith
通讯作者：
T. Smith