Ruddlesden-Popper Phase Formation in Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films
Ruddlesden-Popper Phase Formation in Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films
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Pb(Zr,Ti)O3 薄膜中 Ruddlesden-Popper 相的形成
DOI：
10.1080/00150190802384443
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0.8
通讯作者：
D. C. Meyer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Suchaneck;V. S. Vidiyarthi;G. Gerlach;M. Reibold;A. A. Levin;D. C. Meyer
在这项工作中，我们给出了在衬底温度为520°C的氧化硅片上用多靶反应溅射方法沉积的含ZrO2缓冲层的PbO_3薄膜中Ruddlesden-Popper(RP)相形成的证据。在520℃下沉积的薄膜的X射线衍射数据表明，薄膜中出现了Pb2(Zr，Ti)O4Rp相。高分辨电子显微镜(HRTEM)图像证明了相应的超结构的存在，周期约为1.3 nm。它是在靠近ZrO2/PZT界面的富铅非晶界面层上成核的。在较高的衬底温度下，当这种非晶界面层消失时，具有尖锐界面的钙钛矿结构直接在ZrO2缓冲层上形核。
In this work, we give evidences of Ruddlesden-Popper (RP) phase formation in Pb(Zr,Ti)O3thin films deposited by multi-target reactive sputtering at a substrate temperature of 520°C onto oxidized silicon wafers comprising a ZrO2buffer layer. X-ray diffraction data of films deposited at 520°C revealed the appearance of a Pb2(Zr,Ti)O4RP phase. High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) images have proved the presence of a corresponding superstructure with a period of about 1.3 nm. It was nucleated on top of an amorphous, lead-enriched interface layer near the ZrO2/PZT interface. At higher substrate temperatures, when this amorphous interface layer disappears, a perovskite structure with a sharp interface was nucleated directly on the ZrO2buffer layer.
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