Electron overflow of AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes
Electron overflow of AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes
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AlGaN深紫外发光二极管的电子溢出
DOI：
10.1063/5.0055326
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Mi, Z.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pandey, A.;Gim, J.;Hovden, R.;Mi, Z.
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影响因子：
4
作者：
A. Pandey;J. Gim;R. Hovden;Z. Mi
通讯作者：
A. Pandey;J. Gim;R. Hovden;Z. Mi
等离子体辅助分子束外延生长的〜280nm发射的Al0.56Ga0.44N/Al0.62Ga0.38N多量子阱的光学和界面特性
影响因子：
1.8
作者：
A. Aiello;A. Pandey;A. Bhattacharya;J. Gim;Xianhe Liu;D. Laleyan;R. Hovden;Z. Mi;P. Bhattacharya
通讯作者：
P. Bhattacharya
富铝 AlGaN/AlN 量子阱中激子局域化的起源
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
T. Oto;R. G. Banal;M. Funato and Y. Kawakami
通讯作者：
M. Funato and Y. Kawakami
影响因子：
10.8
作者：
Aiello, Anthony;Wu, Yuanpeng;Bhattacharya, Pallab
通讯作者：
Bhattacharya, Pallab
隧道结 p 接触 250 nm 深紫外 LED
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Conference on Lasers and Electro-Optics
影响因子：
--
作者：
S. Bharadwaj;Kevin Lee;S. Islam;V. Protasenko;H. Xing;D. Jena
通讯作者：
D. Jena