Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation
Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation
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超快载流子弛豫InAs量子点层横向光电流迁移率和活化能
DOI：
10.1016/j.physe.2020.114478
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Toshiro Isu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoto Kumagai;Xiangmeng Lu;Yasuo Minami;Takahiro Kitada;and Toshiro Isu
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AlInAs/InGaAs 和 InP/InGaAs 单异质结构中二维电子的计算电子迁移率
DOI：
10.1143/jjap.24.1307
发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Takeda;A. Sasaki
通讯作者：
A. Sasaki
Ge薄膜中的超短寿命光载流子
影响因子：
4
作者：
N. Sekine;K. Hirakawa;F. Sogawa;Y. Arakawa;N. Usami;Y. Shiraki;T. Katoda
通讯作者：
T. Katoda
影响因子：
64.8
作者：
Yoshie, T;Scherer, A;Deppe, DG
通讯作者：
Deppe, DG
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
低温分子束外延In0.52Al0.48As/InP中载流子的亚皮秒光响应
DOI：
10.1063/1.103347
发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Gupta;P. Bhattacharya;J. Pamulapati;G. Mourou
通讯作者：
G. Mourou