Profile simulation model including ion reflection on feature surfaces during plasma etching

Profile simulation model including ion reflection on feature surfaces during plasma etching
复制标题

轮廓仿真模型,包括等离子蚀刻过程中特征表面上的离子反射

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
Proc. 6th Int. Symp. Dry Process
影响因子:
--
通讯作者:
K.Ono
K.Ono
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
S.Irie;Y.Osano;M.Mori;K.Eriguchi;K.Ono

文献摘要

参考文献

相似文献

使用假晶 Si/GaP 中间层的 GaAs 上的金属-绝缘体-半导体结构
DOI: 10.1116/1.589274
发表时间: 1997
影响因子: 1.4
作者:
Dae;S. Mohammad;Zhi Chen;H. Morkoç
通讯作者: H. Morkoç
硅蚀刻的原子尺度细胞模型和轮廓模拟:表面粗糙度和残留物的形成
DOI: 10.1016/j.tsf.2009.11.043
发表时间: 2010
期刊: Thin Solid Films
影响因子: 2.1
作者:
H. Tsuda;M. Mori;Y. Takao;K. Eriguchi;K. Ono
通讯作者: K. Ono
DOI: 10.1143/jjap.33.7112
发表时间: 1994
期刊:
影响因子: --
作者:
K. Sung;S. Pang
通讯作者: S. Pang
DOI: --
发表时间: 2015
期刊: Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子: --
作者:
D. A. Pearson;R. M. Bradley
通讯作者: R. M. Bradley
蒙特卡罗等离子体鞘层模拟与特征演化模型耦合时的通量考虑因素
DOI: 10.1109/16.129088
发表时间: 1992
影响因子: 3.1
作者:
M. Dalvie;R. Farouki;S. Hamaguchi
通讯作者: S. Hamaguchi