Electroluminescence in metal-oxide-semiconductor tunnel diodes with a crystalline silicon/silicon dioxide quantum well
Electroluminescence in metal-oxide-semiconductor tunnel diodes with a crystalline silicon/silicon dioxide quantum well
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具有晶体硅/二氧化硅量子阱的金属氧化物半导体隧道二极管的电致发光
DOI：
10.1016/j.micrna.2022.207228
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Mizuho Morita
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuki Miyata;Yasunori Nakamukai;Cassia Tiemi Azevedo;Ayano Tsuchida;Miho Morita;Yasushi Oshikane;Junichi Uchikoshi;Kentaro Kawai;Kenta Arima;Mizuho Morita
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影响因子：
4
作者：
K. Kim;J. H. Park;Hyunsoo Kim;J. Kim;E. Schubert;Jaehee Cho
通讯作者：
Jaehee Cho
不同金属栅极方法表征通过超薄二氧化硅薄膜的隧道电流
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
The Physics and Chemistry of SiO_2 and the Si-SiO_2 Interface - 5, ECS Transactions, The Electrochemical Society 1・1
影响因子：
--
作者：
Naoto Yoshii;Tatsuya Okazaki;Takaaki Hirokane;Shinichi Urabe;Kazuo Nishimura;Satoru Morita;Mizuho Morita
通讯作者：
Mizuho Morita
纳米技术时代的硅光子学方法
DOI：
10.1109/iedm.2007.4419065
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
K. Ohashi;K. Nishi;T. Shimizu;M. Nakada;J. Fujikata;J. Ushida;A. Gomyo;T. Ishi;K. Nose;M. Mizuno;M. Kinoshita;N. Suzuki;D. Okamoto;H. Yukawa;T. Tsuchizawa;T. Watanabe;K. Yamada;S. Itabashi;J. Akedo
通讯作者：
J. Akedo
纳米厚 Si/SiO2 量子阱的带隙：理论与实验
DOI：
10.1117/12.804577
发表时间：
2008
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. J. Lockwood
通讯作者：
D. J. Lockwood
具有高效且可调谐电致发光的多孔硅二极管的表征
影响因子：
3.2
作者：
N. Lalic;J. Linnros
通讯作者：
J. Linnros