Physics of high-efficiency 240–260 nm deep-ultraviolet lasers and light-emitting diodes on AlGaN substrate
Physics of high-efficiency 240–260 nm deep-ultraviolet lasers and light-emitting diodes on AlGaN substrate
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AlGaN 衬底上高效 240～260nm 深紫外激光器和发光二极管的物理
DOI：
10.1063/1.5143723
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhang, Jing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, Cheng;Zhang, Jing
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影响因子：
3.2
作者：
Cheng Liu;Y. Ooi;Jing Zhang
通讯作者：
Cheng Liu;Y. Ooi;Jing Zhang
影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
影响因子：
1.8
作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;R. E. L. Powell;A. Akimov;F. Luckert;P. Edwards;R. Martin;A. Kent;C. T. Foxon
通讯作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;R. E. L. Powell;A. Akimov;F. Luckert;P. Edwards;R. Martin;A. Kent;C. T. Foxon
影响因子：
4
作者：
Hirayama, Hideki;Yatabe, Tohru;Kamata, Norihiko
通讯作者：
Kamata, Norihiko
使用高效射频等离子体源通过分子束外延生长独立式块体纤锌矿 AlxGa1−xN 层
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Novikov;C. R. Staddon;S. Sahonta;R. Oliver;C. Humphreys;C. T. Foxon
通讯作者：
C. T. Foxon