Effects of the number of wells on the performance of green InGaN/GaN LEDs with V-shape pits grown on Si substrates
Effects of the number of wells on the performance of green InGaN/GaN LEDs with V-shape pits grown on Si substrates
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阱数量对硅衬底上V型凹坑绿光InGaN/GaN LED性能的影响
DOI：
10.1016/j.spmi.2017.12.012
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发表时间：
2017-12
影响因子：
3.1
通讯作者：
Fengyi Jiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qingfeng Wu;Jianli Zhang;Chunlan Mo;Xiaolan Wang;Zhijue Quan;Xiaoming Wu;Shuan Pan;Guangxu Wang;Junlin Liu;Fengyi Jiang
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