Temperature-dependent electroluminescence from InGaN/GaN green light-emitting diodes on silicon with different quantum-well structures
Temperature-dependent electroluminescence from InGaN/GaN green light-emitting diodes on silicon with different quantum-well structures
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具有不同量子阱结构的硅上 InGaN/GaN 绿光发光二极管的温度依赖性电致发光
DOI：
10.1088/0268-1242/30/1/015018
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发表时间：
2014
影响因子：
1.9
通讯作者：
Jiang Fengyi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Guangxu;Tao Xixia;Liu Junlin;Jiang Fengyi
研究了在 Si (111) 上生长的 InGaN/GaN 发光二极管 (LED) 的温度依赖性电致发光。随着电流密度的增加，内量子效率（IQE）首先上升，并伴随半峰全宽（FWHM）收缩，然后呈现IQE下降并伴随FWHM展宽。随着温度的下降，IQE的最大值伴随着FWHM的最小值都向低电流密度的方向移动。此外，对于单量子阱 LED，IQE 的最大值移动得比 FWHM 的最小值移动得更快。此外，还发现靠近n-GaN的量子阱在小电流注入时优先辐射，特别是在多量子阱LED的低温（100 K）下。
Temperature-dependent electroluminescence from InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) grown on Si (111) are investigated. With the increase of current density, internal quantum efficiencies (IQEs) firstly rise accompanied by full width at half maximum (FWHM) shrinkage and then IQEs droop combined with FWHM broadening are presented. With the decline of temperature, both the maximum of IQEs accompanying the minimum of FWHM shift towards the direction of low current density. Moreover, the maximum of IQEs shift faster than the minimum of FWHM for single quantum well LED. Furthermore, it was found that the quantum well close to n-GaN has priority to radiate in small current injection, especially at low temperature (100 K) for multiple quantum wells LED.
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影响因子：
4
作者：
Qi, YD;Liang, H;Lau, KM
通讯作者：
Lau, KM
影响因子：
4
作者：
Y. Kuo;Tsun-Hsin Wang;Jih-Yuan Chang;Miao‐Chan Tsai
通讯作者：
Y. Kuo;Tsun-Hsin Wang;Jih-Yuan Chang;Miao‐Chan Tsai
DOI：
10.1002/pssc.200778441
发表时间：
2008-05
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
H. Ishikawa;T. Jimbo;T. Egawa
通讯作者：
H. Ishikawa;T. Jimbo;T. Egawa
影响因子：
1.9
作者：
Lihong Zhu;Qinghong Zheng;Bao-lin Liu
通讯作者：
Lihong Zhu;Qinghong Zheng;Bao-lin Liu
Si衬底上GaN基发光二极管N极n型欧姆接触的热稳定性
影响因子：
2.1
作者：
Junlin Liu;Feifei Feng;Jianli Zhang;Le Jiang;Fengyi Jiang
通讯作者：
Fengyi Jiang