Cell library development methodology for throughput for throughput enhancement of electron beam direct-write lithography systems
Cell library development methodology for throughput for throughput enhancement of electron beam direct-write lithography systems
复制标题
用于提高电子束直写光刻系统吞吐量的单元库开发方法
DOI：
--
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.Murakami K.Okumura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Sugihara;T.Takata;K.Nakamura;R.Inanami;H.Hayashi;K.Kishimoto;T.Hasebe;Y.Kawano;Y.Matsunaga;K.Murakami K.Okumura
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电子束单元投影光刻系统
影响因子：
1.4
作者：
Y. Sakitani;H. Yoda;H. Todokoro;Y. Shibata;T. Yamazaki;K. Ohbitu;N. Saitou;S. Moriyama;S. Okazaki;G. Matuoka;F. Murai;M. Okumura
通讯作者：
M. Okumura
用于大规模生产 VLSI 器件的电子束光刻技术的最新进展
影响因子：
3.1
作者：
H. C. Pfeiffer
通讯作者：
H. C. Pfeiffer
逻辑器件无掩模电子束直写产能提升策略
DOI：
10.1109/iedm.2000.904446
发表时间：
2000
期刊：
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138)
影响因子：
--
作者：
R. Inanami;S. Magoshi;S. Kousai;M. Hmada;T. Takayanagi;K. Sugihara;K. Okumura;T. Kuroda
通讯作者：
T. Kuroda
DOI：
10.1116/1.569621
发表时间：
1978-01-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY
影响因子：
--
作者：
PFEIFFER, HC
通讯作者：
PFEIFFER, HC
采用字符投影曝光法的电子束直写系统EX-8D
影响因子：
1.4
作者：
K. Hattori;R. Yoshikawa;H. Wada;Hideo Kusakabe;T. Yamaguchi;S. Magoshi;A. Miyagaki;S. Yamasaki;T. Takigawa;M. Kanoh;Shinsuke Nishimura;H. Housai;Hashimoto Susumu
通讯作者：
Hashimoto Susumu