Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals
Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals
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在碳化硅晶体表面观察到的掺氧单光子源
DOI：
10.1088/2399-6528/aaede4
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Hijikata;T. Horii;Y. Furukawa;Y. Matsushita;T. Ohshima
最近在氧退火的SiC半导体（表面SPS）中证实了在室温下发射单光子的高亮度单光子源（SPS）的形成。然而，表面SPS的缺陷结构仍然不清楚，这使得器件的制造和性能控制困难。为了验证氧在表面SPS中的掺入，我们使用稳定的18 O同位素作为氧化剂制造SPS。通过比较这与自然氧退火的情况下，我们发现，SP发射光谱的18 O样品往往有较短的峰值波长，稍窄的峰宽，和较高的强度。因此，看来，在18 O样品的情况下，声子边带位于更接近零声子线和氧被纳入到归因于表面SPS的缺陷。
The formation of high-brightness single-photon sources (SPSs) that emit single photons at room temperature was recently confirmed in oxygen-annealed SiC semiconductors (surface SPSs.) However, the defect structure of surface SPSs remains unclear, which makes device fabrication and property control difficult. To verify the incorporation of oxygen in surface SPSs, we fabricated SPSs using stable 18 O isotopes as oxidants. By comparing this to the case of natural oxygen annealing, we found that the SP emission spectra for the 18 O sample tended to have shorter peak wavelengths, slightly narrower peak widths, and higher intensities. Thus, it appeared that, in the case of the 18 O sample, the phonon sideband was located closer to the zero-phonon line and that oxygen was incorporated into the defects attributed to the surface SPS.
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