AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation
AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation
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用于 24GHz 脉冲调制的 AlGaN/GaN 双栅极 MENT 混频器
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Shiojima;T.Makimura;T.Kosugi;T.Suemitsu;N.Shigekawa;M.Hiroki;H.Yokoyama
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SiC 衬底上的高功率 AlGaN/GaN 双栅高电子迁移率晶体管混频器
影响因子：
1.1
作者：
K. Shiojima;T. Makimura;T. Kosugi;S. Sugitani;N. Shigekawa;H. Ishikawa;T. Egawa
通讯作者：
T. Egawa
SiN表面钝化AlGaN/GaN二维电子气结构热稳定性的系统研究
DOI：
10.1587/elex.1.160
发表时间：
2004
期刊：
IEICE Electron. Express
影响因子：
--
作者：
K. Shiojima;S. Sugitani;N. Shigekawa
通讯作者：
N. Shigekawa
蓝宝石衬底上电流增益截止频率为 152 GHz 的 AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管
影响因子：
1.5
作者：
M. Higashiwaki;T. Matsui
通讯作者：
T. Matsui
使用 AlGaN/GaN HFET 的高功率 Tx/Rx 开关 IC
DOI：
10.1109/iedm.2003.1269350
发表时间：
2003
期刊：
IEEE International Electron Devices Meeting 2003
影响因子：
--
作者：
H. Ishida;Y. Hirose;T. Murata;A. Kanda;Y. Ikeda;T. Matsuno;K. Inoue;Y. Uemoto;T. Tanaka;T. Egawa;D. Ueda
通讯作者：
D. Ueda
输出功率超过 200W 的高可靠性 GaN HEMT 推挽放大器
DOI：
10.1109/mwsym.2004.1338818
发表时间：
2004
期刊：
2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IEEE Cat. No.04CH37535)
影响因子：
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作者：
T. Kikkawa;T. Maniwa;H. Hayashi;M. Kanamura;S. Yokokawa;M. Nishi;N. Adachi;M. Yokoyama;Y. Tateno;K. Joshin
通讯作者：
K. Joshin