Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
复制标题
形成工艺对SiC晶体表面产生的单光子源辐射特性的影响
DOI：
10.1063/5.0048772
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Ohshima Takeshi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hijikata Yasuto;Komori Shota;Otojima Shunsuke;Matsushita Yu-Ichiro;Ohshima Takeshi
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SiC/SiO2 界面处的光学活性缺陷
影响因子：
4.6
作者：
B. C. Johnson;J. Woerle;D. Haasmann;C. Lew;R. A. Parker;H. Knowles;B. Pingault;M. Atature;Á. Gali;S. Dimitrijev;M. Camarda;J. McCallum
通讯作者：
J. McCallum
在碳化硅晶体表面观察到的掺氧单光子源
DOI：
10.1088/2399-6528/aaede4
发表时间：
2018
期刊：
J. Phys. Commun.
影响因子：
--
作者：
Y. Hijikata;T. Horii;Y. Furukawa;Y. Matsushita;T. Ohshima
通讯作者：
T. Ohshima
影响因子：
4
作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
通讯作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
影响因子：
7
作者：
Sato, Shin-ichiro;Honda, Tomoya;Ohshima, Takeshi
通讯作者：
Ohshima, Takeshi
影响因子：
41.2
作者：
Widmann, Matthias;Lee, Sang-Yun;Wrachtrup, Joerg
通讯作者：
Wrachtrup, Joerg