Optically Active Defects at the SiC/SiO2 Interface
Optically Active Defects at the
SiC/SiO2
Interface
复制标题
SiC/SiO2 界面处的光学活性缺陷
DOI：
10.1103/physrevapplied.12.044024
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发表时间：
2019
影响因子：
4.6
通讯作者：
J. McCallum
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. C. Johnson;J. Woerle;D. Haasmann;C. Lew;R. A. Parker;H. Knowles;B. Pingault;M. Atature;Á. Gali;S. Dimitrijev;M. Camarda;J. McCallum
碳化硅/二氧化硅界面是许多碳化硅电子器件的核心部件。此接口的固有缺陷可能会对其操作和可靠性产生深远影响。因此，了解这些缺陷的性质并开发表征方法以实现优化的碳化硅器件是至关重要的。在这里，我们利用共聚焦显微镜来处理与SiC/SiO_2相关的单个缺陷，并展示了该技术是一种非接触、非破坏性、空间分辨和快速评估碳化硅/SiO_2界面质量的方法。这是通过改变氧化后氮氧化物钝化退火的参数来系统地研究碳化硅/二氧化硅界面的缺陷密度来实现的。标准的基于电容的表征技术被用来基准光学活性的碳化硅/二氧化硅相关缺陷的光发射速率和密度。通过对单个缺陷的低温光学测量，进一步洞察了这些缺陷的本质。
The SiC/SiO2 interface is a central component of many SiC electronic devices. Defects intrinsic to this interface can have a profound effect on their operation and reliability. It is therefore crucial to both understand the nature of these defects and develop characterization methods to enable optimized SiC-based devices. Here we make use of confocal microscopy to address single SiC/SiO2-related defects and show the technique to be a noncontact, nondestructive, spatially resolved and rapid means of assessing thequality of the SiC/SiO2 interface. This is achieved by a systematic investigation of the defect density of the SiC/SiO2 interface by varying the parameters of a nitric oxide passivation anneal after oxidation. Standard capacitance-based characterization techniques are used to benchmark optical emission rates and densities of the optically active SiC/SiO2-related defects. Further insight into the nature of these defects is provided by low-temperature optical measurements on single defects.
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影响因子：
4
作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup
通讯作者：
M. Widmann;Matthias Niethammer;T. Makino;T. Rendler;S. Lasse;T. Ohshima;J. Ul Hassan;Nguyen Tien Son;Sang-Yun Lee;J. Wrachtrup
DOI：
10.5772/3428
发表时间：
2012-10
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Y. Hijikata
通讯作者：
Y. Hijikata
在碳化硅晶体表面观察到的掺氧单光子源
DOI：
10.1088/2399-6528/aaede4
发表时间：
2018
期刊：
J. Phys. Commun.
影响因子：
--
作者：
Y. Hijikata;T. Horii;Y. Furukawa;Y. Matsushita;T. Ohshima
通讯作者：
T. Ohshima
影响因子：
4
作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
通讯作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
影响因子：
7
作者：
Sato, Shin-ichiro;Honda, Tomoya;Ohshima, Takeshi
通讯作者：
Ohshima, Takeshi