Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultra thin body SOI pMOSFETs
Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultra thin body SOI pMOSFETs
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由于超薄体 SOI pMOSFET 中的量子限制，通过衬底偏置增强了可调阈值电压范围
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G.Tsutsui;T.Nagumo;T.Hiramoto
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具有由反向偏置控制的可变阈值电压的低功耗和低压 MOSFET
影响因子：
0.5
作者：
T. Hiramoto;M. Takamiya
通讯作者：
M. Takamiya
具有植入背栅电极的可变阈值电压 SOI CMOSFET，适用于电源管理的低功耗和高速低于 1V ULSI
DOI：
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发表时间：
1996
期刊：
1996 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers
影响因子：
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作者：
T. Kachi;T. Kaga;S. Wakahara;D. Hisamoto
通讯作者：
D. Hisamoto
由于可变阈值电压互补 MOS (VTCMOS) 中的有限反型层厚度，利用增强的体效应因子改进电流驱动
影响因子：
1.5
作者：
T. Nagumo;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto
可变阈值电压全耗尽 SOI MOSFET 的阈值电压控制范围
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Technical report of IEICE. ICD
影响因子：
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作者：
T. Nagumo;T. Inukai;Atsumasa Ohsawa;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto
量子力学效应对纳米级窄沟道 n 型和 p 型 MOSFET 设计的影响
DOI：
10.1109/iedm.2001.979618
发表时间：
2001
期刊：
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224)
影响因子：
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作者：
H. Majima;Y. Saito;T. Hiramoto
通讯作者：
T. Hiramoto