Photo-Induced Instability of Nanocrystalline Silicon TFTs
Photo-Induced Instability of Nanocrystalline Silicon TFTs
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纳米晶硅 TFT 的光致不稳定性
DOI：
10.1109/jdt.2010.2076363
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发表时间：
2010
影响因子：
--
通讯作者：
Bauza M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bauza M
我们研究了纳米晶硅 (nc-Si) 薄膜晶体管 (TFT) 在电应力和光应力存在下的不稳定性行为。与单独的偏置应力相比，在偏置和光应力组合下，阈值电压和亚阈值斜率的变化更为显着。偏置应力 6 小时后，光照情况下的阈值电压偏移 (ΔV_T) 大约是黑暗情况下的 7 倍。仅在偏置应力下，主要的不稳定机制是半导体/绝缘体界面处的电荷俘获。相反，在偏压和光应力的组合下，主要机制似乎是在沟道中产生缺陷态，并且被认为发生在非晶相中，其中电偏压引起的电子密度的增加增强了光激发电子-空穴对的非辐射复合。这里报告的结果与太阳能电池光致效率下降的观察结果一致。
We examine the instability behavior of nanocrystalline silicon (nc-Si) thin-film transistors (TFTs) in the presence of electrical and optical stress. The change in threshold voltage and sub-threshold slope is more significant under combined bias-and-light stress when compared to bias stress alone. The threshold voltage shift (ΔV_T) after 6 h of bias stress is about 7 times larger in the case with illumination than in the dark. Under bias stress alone, the primary instability mechanism is charge trapping at the semiconductor/insulator interface. In contrast, under combined bias-and-light stress, the prevailing mechanism appears to be the creation of defect states in the channel, and believed to take place in the amorphous phase, where the increase in the electron density induced by electrical bias enhances the non-radiative recombination of photo-excited electron-hole pairs. The results reported here are consistent with observations of photo-induced efficiency degradation in solar cells.
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