Scanning tunneling microscopic study of the effects of surface conduction on the electrical transport properties of nanosized Schottky contacts between FeSi2 nanoislands and Si(111)
Scanning tunneling microscopic study of the effects of surface conduction on the electrical transport properties of nanosized Schottky contacts between FeSi2 nanoislands and Si(111)
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表面传导对 FeSi2 纳米岛与 Si(111) 之间纳米肖特基接触电输运特性影响的扫描隧道显微镜研究
DOI：
10.1063/1.4903873
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发表时间：
2014-12
影响因子：
4
通讯作者：
X. Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z.-Q. Zou;X.-Y. Liu;Li-Min Sun;X. Li
利用扫描隧道显微镜研究了FeSi 2纳米岛与p（n）型Si（111）之间肖特基纳米接触的电输运特性。通过比较周围有沟槽和没有沟槽的FeSi 2岛的电流-电压曲线，我们从总电流中提取了表面漏电流的贡献，发现表面导电主导了纳米接触的电输运。表面漏电流随反向偏压线性增加，但随正向偏压呈指数增加，这是由少数载流子的表面态导电和表面复合产生导电引起的。
Electrical transport properties of Schottky nanocontacts between FeSi2 nanoislands and p(n)-type Si(111) are investigated by a scanning tunneling microscope with tip touching the islands. By comparing the current-voltage curves of the FeSi2 islands with and without a surrounding trench, we extracted the contribution of surface leakage current from the total current and found that the surface conduction dominates the electrical transport of the nanocontacts. The surface leakage current increases linearly with reverse bias but increases exponentially with forward bias, which is explained by the surface-state conduction and surface recombination-generation conduction of minority carriers.
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