Abidur Rahman- Research Gate
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阿比杜尔·拉赫曼 - 研究门
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FinFET 逻辑电路中的故障建模
DOI：
10.1109/test.2012.6401565
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE International Test Conference
影响因子：
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作者：
Yuxi Liu;Q. Xu
通讯作者：
Q. Xu
SRAM中栅氧化层短路的新型电路级模型及其测试方法
DOI：
10.1109/tvlsi.2013.2268984
发表时间：
2014
影响因子：
2.8
作者：
Chen;M. Chao;Chih
通讯作者：
Chih
7 nm 技术节点基于 FinFET 的逆变器设计和优化
影响因子：
3.4
作者：
J. Jena;D. Jena;E. Mohapatra;S. Das;Tara Prasanna Dash
通讯作者：
Tara Prasanna Dash
FinFET 中栅极氧化物短路的综合研究
DOI：
10.1109/vts.2017.7928960
发表时间：
2017
期刊：
2017 IEEE 35th VLSI Test Symposium (VTS)
影响因子：
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作者：
Roya Dibaj;D. Al;M. Shams
通讯作者：
M. Shams