Defect characterization and control for SiGe-on-insulator (Invited)
Defect characterization and control for SiGe-on-insulator (Invited)
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绝缘体上 SiGe 的缺陷表征和控制（特邀）
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Wang;H.Yang;H.Nakashima
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SiGe/Si 异质结构中位错和相关缺陷的深能级瞬态光谱和电容电压研究
影响因子：
3.2
作者：
Jinggang Lu;Yongkook Park;G. Rozgonyi
通讯作者：
G. Rozgonyi
通过控制 Al2O3 扩散退火工艺改善具有 Al2O3 覆盖 HfO2 电介质的 TiN 栅极 p 型金属绝缘体半导体场效应晶体管的器件特性
影响因子：
1.5
作者：
T. Morooka;T. Matsuki;N. Mise;S. Kamiyama;T. Nabatame;T. Eimori;Y. Nara;Y. Ohji
通讯作者：
Y. Ohji
绝缘体上 SiGe 虚拟衬底制造过程中产生的缺陷的光致发光科学评估：升温过程
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Applied Physics Letter 89・4
影响因子：
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作者：
D.Wang;S.Ii;H.Nakashima;K.Ikeda;H.Nakashima;K.Matsumoto;M.Nakamae
通讯作者：
M.Nakamae
“激光分子束外延法室温生长 AIN/TiN 外延多层”固体薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
Thin Solid Films 516
影响因子：
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作者：
Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara
通讯作者：
Wakana Hara
用于高迁移率通道 CMOS 器件的采用 Ge 凝聚技术制造的绝缘体上 SiGe 和绝缘体上 Ge 衬底
DOI：
10.1557/proc-809-b2.1
发表时间：
2004
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
T. Tezuka;T. Mizuno;N. Sugiyama;S. Nakaharai;Y. Moriyama;K. Usuda;T. Numata;N. Hirashita;T. Maeda;S. Takagi;Y. Miyamura;E. Toyoda
通讯作者：
E. Toyoda