Atom Probe Tomography Study of Gettering in High-Performance Multicrystalline Silicon
Atom Probe Tomography Study of Gettering in High-Performance Multicrystalline Silicon
复制标题
高性能多晶硅吸杂的原子探针断层扫描研究
DOI：
10.1109/jphotov.2020.2974795
复制
发表时间：
2020
影响因子：
3
通讯作者：
Tweddle D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tweddle D
在生产高性能多晶硅（HPMC-Si）太阳能电池期间，在发射极形成期间固有地发生吸杂。该材料的好处与增加少数载流子寿命从外部吸杂杂质进入扩散层。然而，取决于发射极扩散的热预算和参数以及特定的材料性质，该工艺在特定晶体缺陷的增加的复合活性方面也可能是有害的。因此，重要的是要了解吸杂后缺陷的复合活性变化背后的根本原因。在这里，我们提出了一个相关的原子探针断层扫描研究的晶界在p型和n型HPMC-Si吸杂前后。发现氮的存在与晶界处的复合活性的增加直接相关。此外，对硅中过渡金属的原子探针层析成像检测限进行了估计，发现其大于商业HPMC-Si中的已知杂质水平。
During the production of high-performance multicrystalline silicon (HPMC-Si) solar cells, gettering occurs inherently during the formation of an emitter. The material benefits with an increase in minority carrier lifetime from the external gettering of impurities into the diffused layer. However, depending on the thermal budget and parameters of the emitter diffusion, as well as the specific material properties, the process can also be detrimental in terms of increased recombination activity of specific crystallographic defects. Thus, it is important to understand the root causes behind the change in recombination activity of defects following gettering. Here, we present a correlative atom probe tomography study of grain boundaries in both p- and n-type HPMC-Si before and after gettering. The presence of nitrogen was found to directly correlate with the increase in recombination activity at grain boundaries. Additionally, an estimation of the atom probe tomography detection limit for transition metals in silicon is made and found to be greater than known impurity levels in commercial HPMC-Si.
登录
查看更多内容
瞬态和稳态相结合的方法，可实现具有微米分辨率的稳健寿命光谱
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Heinz;L. E. Mundt;W. Warta;M. Schubert
通讯作者：
M. Schubert
扩展缺陷和原生杂质对定向凝固多晶硅电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Pizzini;A. Sandrinelli;M. Beghi;D. Narducci;F. Allegretti;S. Torchio;G. Fabbri;G. Ottaviani;F. Demartin;A. Fusi
通讯作者：
A. Fusi
n 型掺杂可提高多晶硅太阳能电池效率
影响因子：
3
作者：
F. Schindler;B. Michl;A. Kleiber;H. Steinkemper;J. Schon;W. Kwapil;P. Krenckel;S. Riepe;W. Warta;M. Schubert
通讯作者：
M. Schubert
影响因子：
9.4
作者：
T. Lehmann;C. Reimann;E. Meissner;J. Friedrich
通讯作者：
T. Lehmann;C. Reimann;E. Meissner;J. Friedrich
影响因子：
4.7
作者：
Tweddle D
通讯作者：
Tweddle D