Identification of colloidal silica polishing induced contamination in silicon
Identification of colloidal silica polishing induced contamination in silicon
复制标题
硅中胶体二氧化硅抛光引起的污染的鉴定
DOI：
10.1016/j.matchar.2019.04.029
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发表时间：
2019
影响因子：
4.7
通讯作者：
Tweddle D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tweddle D
本文提出了一种多尺度表征方法，分析了胶体二氧化硅抛光对多晶硅晶体缺陷的影响。通过电子束感应电流测绘，发现胶体二氧化硅抛光时间短至 30 分钟即可显着增加所有缺陷的复合活性。通过原子探针断层扫描测量，由于胶体二氧化硅抛光而造成室温缺陷污染的杂质是 Cu 和 Ni。
This paper presents a multiscale characterisation approach, analysing the effect of colloidal silica polishing on crystallographic defects in multicrystalline silicon. Colloidal silica polishing for as little time as 30 min was found to significantly increase the recombination activity of all defects, as measured by electron beam induced current mapping. The impurities responsible for the room temperature contamination of defects due to colloidal silica polishing were Cu and Ni, as measured by atom probe tomography.
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