Real-time monitoring of surface passivation of crystalline silicon during growth of amorphous and epitaxial silicon layer

Real-time monitoring of surface passivation of crystalline silicon during growth of amorphous and epitaxial silicon layer
复制标题

非晶硅和外延硅层生长过程中晶体硅表面钝化的实时监测

DOI:
10.1063/5.0011563
复制
发表时间:
2020
影响因子:
3.2
通讯作者:
Shiratani Masaharu
Shiratani Masaharu
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Sakakita Hajime;Koga Kazunori;Shiratani Masaharu

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

氢稀释硅烷等离子体中的正离子聚合
DOI: 10.1063/1.3042263
发表时间: 2008
影响因子: 4
作者:
S. Nunomura;M. Kondo
通讯作者: M. Kondo
等离子体处理过程中 a-Si:H/c-Si 异质结界面缺陷的原位检测
DOI: 10.7567/1882-0786/ab128b
发表时间: 2019
影响因子: 2.3
作者:
Nunomura Shota;Sakata Isao;Matsubara Koji
通讯作者: Matsubara Koji
DOI: 10.1038/nenergy.2017.32
发表时间: 2017-05-01
期刊: NATURE ENERGY
影响因子: 56.7
作者:
Yoshikawa, Kunta;Kawasaki, Hayato;Yamamoto, Kenji
通讯作者: Yamamoto, Kenji
半导体等离子处理过程中缺陷的产生
DOI: --
发表时间: 1991
期刊:
影响因子: --
作者:
J. Weber
通讯作者: J. Weber
DOI: --
发表时间: 1982
期刊:
影响因子: --
作者:
R. Street
通讯作者: R. Street