Silicon based photonic network devices and materials (Invited)
Silicon based photonic network devices and materials (Invited)
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硅基光子网络器件与材料（特邀）
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Yamamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ichirou Takahashi;Tadahiro Ohmi;et al.;Ichirou Takahasni;古河 原壮;S. Kogahara;H. Kiuchi;T. Sakamoto;T. Sakamoto;S. Shinada;T. Sakamoto;R.Takigawa;S.Kogahara;T.Kawanishi;T.Sakamoto;T.Kawanishi;K.Higuma;T.Sakamoto;T.Kawanishi;S.Shinada;T.Kawanishi;川西 哲也;坂本 高秀;坂本 高秀;川西 哲也;坂本 高秀;Liang Tak-Keung;坂本 高秀;川西 哲也;川西 哲也;多岐川 良;坂本 高秀;川西 哲也;H. Kiuchi;川西 哲也;坂本 高秀;千葉 明人;T. Sakamoto;H. Toda;T. Yamamoto;T. Kawanishi;T. Sakamoto;T. Kawanishi;T. Sakamoto;T. Sakamoto;山本 剛裕;木内 等;坂本 高秀;坂本 高秀;榎原 晃;千葉 明人;戸田 裕之;日隈 薫;N. Yamamoto
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使用选择性应力施加氧化物贴片和蚀刻氧化物窗口在硅波导中进行 TE/TM 模式转换
DOI：
10.1109/group4.2005.1516426
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Liang;L. Nunes;H. Tsang;M. Tsuchiya
通讯作者：
M. Tsuchiya
在 GaAs 和硅衬底上生长 InGaSb 量子点结构
影响因子：
1.5
作者：
N. Yamamoto;K. Akahane;S. Gozu;A. Ueta;N. Ohtani;M. Tsuchiya
通讯作者：
M. Tsuchiya
GaAs 衬底上制造的 Sb 基量子点垂直腔表面发射激光器结构的 1.55 µm 波段发射
DOI：
10.1143/jjap.45.3423
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Yamamoto;K. Akahane;S. Gozu;A. Ueta;N. Ohtani
通讯作者：
N. Ohtani
光化学蚀刻硅的电致发光 (EL)
DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00405-5
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Yamamoto;A. Sumiya;H. Takai
通讯作者：
H. Takai
含有 Si 纳米晶和 Er 的 SiO 2 薄膜的光致发光：纳米晶尺寸对 Er 光致发光效率的影响
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Fujii;Masato Yoshida;Keiichi Yamamoto
通讯作者：
Keiichi Yamamoto