Low Temperature Internal Gettering of Bulk Defects in Silicon Photovoltaic Materials
Low Temperature Internal Gettering of Bulk Defects in Silicon Photovoltaic Materials
复制标题
硅光伏材料体缺陷的低温内吸杂
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ssp.242.109
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Al-Amin M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Al-Amin M
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DOI：
10.1007/s00339-008-5027-8
发表时间：
2009-07
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
M. Seibt;R. Khalil;V. Kveder;W. Schröter
通讯作者：
M. Seibt;R. Khalil;V. Kveder;W. Schröter
通过内部吸杂增强多晶硅片劣化区域的性能
DOI：
10.1002/pip.2391
发表时间：
2015
期刊：
Progress in Photovoltaics: Research and Applications
影响因子：
--
作者：
Y. Boulfrad;A. Haarahiltunen;H. Savin;E. Øvrelid;L. Arnberg
通讯作者：
L. Arnberg
退火过程中氢对多晶硅中间隙铁浓度的影响
影响因子：
3.2
作者：
Philipp Karzel;A. Frey;S. Fritz;G. Hahn
通讯作者：
G. Hahn
过量载流子复合寿命涡流测量的实验室间研究
DOI：
10.1109/jphotov.2013.2284375
发表时间：
2013
期刊：
2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
影响因子：
--
作者：
Adrienne L. Blum;J. S. Swirhun;R. Sinton;F. Yan;S. Herasimenka;T. Roth;K. Lauer;J. Haunschild;B. Lim;K. Bothe;Z. Hameiri;B. Seipel;R. Xiong;M. Dhamrin;J. D. Murphy
通讯作者：
J. D. Murphy
影响因子：
3.2
作者：
A. Liu;D. Macdonald
通讯作者：
D. Macdonald