Improved Inversion Channel Mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs by Phosphorus Incorporation Technique
Improved Inversion Channel Mobility in Si-face 4H-SiC MOSFETs by Phosphorus Incorporation Technique
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通过磷掺入技术提高 Si 面 4H-SiC MOSFET 的反转沟道迁移率
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D.Okamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大平豊;丹司敬義;D.Okamoto
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提高在 p 型 4H-SiC 上生长的 NO 氮化 SiO2 的可靠性
影响因子：
4.9
作者：
Hui;S. Dimitrijev;H. B. Harrison
通讯作者：
H. B. Harrison
SiO2∕4H–SiC 界面的超浅缺陷态
影响因子：
4
作者：
S. Dhar;X. Chen;P. Mooney;J. Williams;L. Feldman
通讯作者：
L. Feldman
SiO2/4H-SiC(0001)界面的SIMS分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.1037
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Yamashita;M. Kitabatake;O. Kusumoto;Kunimasa Takahashi;M. Uchida;Ryouko Miyanaga;H. Itoh;M. Yoshikawa
通讯作者：
M. Yoshikawa
NO 中氧化后退火的局限性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.693
发表时间：
2010
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
J. Rozen;Xingguang Zhu;A. Ahyi;John R. Williams;L. Feldman
通讯作者：
L. Feldman
4H-SiC(0001)/SiO2界面氧空位缺陷的从头理论研究
影响因子：
3.7
作者：
E. Okuno;Toshio Sakakibara;S. Onda;M. Itoh;T. Uda
通讯作者：
T. Uda